IS61NLP102418-200B3-TR
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IS61NLP102418-200B3-TR
メーカー | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
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説明 | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
プロダクト | 集積回路 (ic) |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
電源電圧 - | 3.135 V ~ 3.465 V |
技術 | SRAM - Synchronous |
サプライヤデバイスパッケージ | 165-TFBGA (13x15) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 165-TBGA |
運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 18Mb (1M x 18) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15) |
クロック周波数 | 200MHz |
アクセス時間 | 3.1ns |
IS61N(LP,VP)25672, 51236,102418 RFQ |
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