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IS61LPS12836EC-200B3LI-TR

IS61LPS12836EC-200B3LI-TR
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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IS61LPS12836EC-200B3LI-TR

メーカーISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
説明IC SRAM 4.5M PARALLEL 200MHZ
プロダクト集積回路 (ic)
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ -
電源電圧 - 3.135 V ~ 3.465 V
技術 SRAM - Synchronous
サプライヤデバイスパッケージ 165-TFBGA (13x15)
シリーズ -
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 165-TFBGA
運転温度 -40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 3 (168 Hours)
メモリタイプ Volatile
記憶容量 4.5Mb (128K x 36)
メモリインタフェース Parallel
メモリ形式 SRAM
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15)
クロック周波数 200MHz
アクセス時間 3.1ns

IS6xxPS12836, 12832, 25618EC

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:2158
  • 2000 pcs$7.885

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