SP8M7FU6TB
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SP8M7FU6TB
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 51 mOhm @ 5A, 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A, 7A |
| Numero di parte base | *M7 |
| RFQ | |
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