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FDMJ1032C

FDMJ1032C
Fairchild/ON Semiconductor

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FDMJ1032C

fabbricanteFairchild/ON Semiconductor
DescrizioneMOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - Prova 270pF @ 10V
Tensione - Ripartizione SC-75, MicroFET
Vgs (th) (max) a Id 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Serie PowerTrench®
Stato RoHS Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2A, 2.5A
Potenza - Max 800mW
Polarizzazione 6-WFDFN Exposed Pad
Altri nomi FDMJ1032CTR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore FDMJ1032C
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3nC @ 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5V @ 250µA
Caratteristica FET N and P-Channel
Descrizione espansione Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.5A 800mW Surface Mount SC-75, MicroFET
Tensione drain-source (Vdss) Logic Level Gate
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20V

FDMJ1032C

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