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FGB40N6S2

FGB40N6S2
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FGB40N6S2

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneIGBT 600V 75A 290W TO263AB
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 20A
Condizione di test 390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 8ns/35ns
di scambio energetico 115µJ (on), 195µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AB
Serie -
Potenza - Max 290W
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi FGB40N6S2_NL
FGB40N6S2_NL-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT -
carica gate 35nC
Descrizione dettagliata IGBT 600V 75A 290W Surface Mount TO-263AB
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 180A
Corrente - collettore (Ic) (max) 75A
Numero di parte base FGB40N6

FG(H/P/B)40N6S2

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