RN2304(TE85L,F)
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RN2304(TE85L,F)
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| La description | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | USM |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
| Puissance - Max | 100mW |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | SC-70, SOT-323 |
| Autres noms | RN2304(TE85LF)CT |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 200MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$0.188
- 10 pcs$0.175
- 25 pcs$0.159
- 100 pcs$0.115
- 250 pcs$0.067
- 500 pcs$0.056
- 1000 pcs$0.038
Les prix ci-dessus sont exclusifs des taxes et des frais d'expédition. Le prix exact est soumis à l'offre finale
Citation requise
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