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IRFB3006PBF

IRFB3006PBF
International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRFB3006PBF

FabricantInternational Rectifier (Infineon Technologies)
La descriptionMOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 170A, 10V
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms SP001570606
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8970pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc)

IRFB3006PBF

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