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IXYX100N65B3D1

IXYX100N65B3D1
IXYS Corporation

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IXYX100N65B3D1

FabricantIXYS Corporation
La descriptionIGBT 650V 188A 1150W PLUS247
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 70A
Condition de test 400V, 50A, 3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 29ns/150ns
énergie de commutation 1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
Package composant fournisseur PLUS247™-3
Séries GenX3™, XPT™
Temps de recouvrement inverse (trr) 156ns
Puissance - Max 830W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard
type de IGBT PT
gate charge 168nC
Description détaillée IGBT PT 650V 225A 830W Through Hole PLUS247™-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 460A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 225A

IXY(X,K)100N65B3D1

RFQ

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