IXTP4N60P
IXTP4N60P
Fabricant | IXYS Corporation |
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La description | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 100µA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-220AB |
Séries | PolarHV™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 89W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 635pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
Description détaillée | N-Channel 600V 4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
RFQ |
Prix de référence (en dollars américains)
- 50 pcs$1.538
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