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IXTP4N60P

IXTP4N60P
IXYS Corporation

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IXTP4N60P

FabricantIXYS Corporation
La descriptionMOSFET N-CH 600V 4A TO-220
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB
Séries PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max) 89W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 635pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)

IXT(A,P,U,Y)4N60P

RFQ

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  • 50 pcs$1.538

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