IXTP120N04T2
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IXTP120N04T2
| Fabricant | IXYS Corporation |
|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220AB |
| Séries | TrenchT2™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 200W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Description détaillée | N-Channel 40V 120A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 50 pcs$2.259
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Citation requise
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