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RJK0305DPB-02#J0

RJK0305DPB-02#J0
Renesas Electronics America

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RJK0305DPB-02#J0

FabricanteRenesas Electronics America
DescripciónMOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id -
Vgs (Max) +16V, -12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo LFPAK
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 8 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo) -
embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta SC-100, SOT-669
Otros nombres RJK0305DPB-02#J0CT
RJK0305DPB02J0
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada N-Channel 30V 30A (Ta) Surface Mount LFPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta)

RJK0305DPB-02 Datasheet

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:3616
  • 1 pcs$2.078
  • 10 pcs$1.844
  • 100 pcs$1.457
  • 500 pcs$1.13
  • 1000 pcs$0.892

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