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IRF7233TR

IRF7233TR
International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF7233TR

FabricanteInternational Rectifier (Infineon Technologies)
DescripciónMOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSContiene plomo / RoHS no conforme
VGS (th) (Max) @Id 600mV @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 8-SO
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 74nC @ 5V
Tipo FET P-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12V
Descripción detallada P-Channel 12V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta)

IRF7233

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:920
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