IRF7233TR
IRF7233TR
Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
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Descripción | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
VGS (th) (Max) @Id | 600mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-SO |
Serie | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 20 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 74nC @ 5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V |
Descripción detallada | P-Channel 12V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Ta) |
RFQ |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 132 pcs$0.104
- 300 pcs$0.099
- 500 pcs$0.095
- 1000 pcs$0.09
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