7164S35DB
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7164S35DB
| Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|
| Descripción | IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 35ns |
| Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Tecnología | SRAM - Asynchronous |
| Paquete del dispositivo | 28-CerDip |
| Serie | - |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
| Otros nombres | IDT7164S35DB IDT7164S35DB-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | SRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada | SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 35ns 28-CerDip |
| Tiempo de acceso | 35ns |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 169 pcs$21.209
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