70V3379S6BF8
70V3379S6BF8
Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
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Descripción | IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA |
Categoría | Circuitos integrados (ICS) |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
Suministro de voltaje | 3.15 V ~ 3.45 V |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Paquete del dispositivo | 208-CABGA (15x15) |
Serie | - |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 208-LFBGA |
Otros nombres | IDT70V3379S6BF8 IDT70V3379S6BF8-ND |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 576Kb (32K x 18) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | SRAM |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Descripción detallada | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (32K x 18) Parallel 6ns 208-CABGA (15x15) |
Número de pieza base | IDT70V3379 |
Tiempo de acceso | 6ns |
RFQ |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1000 pcs$45.614
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