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MSRTA600100(A)

MSRTA600100(A)
GeneSiC Semiconductor

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MSRTA600100(A)

FabricanteGeneSiC Semiconductor
DescripciónDIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.2V @ 600A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 1000V
Paquete del dispositivo Three Tower
Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie -
embalaje Bulk
Paquete / Cubierta 3-SMD Module
Otros nombres MSRTA600100(A)GN
MSRTA600100A
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Standard
configuración de diodo 1 Pair Common Cathode
Descripción detallada Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V 600A (DC) Chassis Mount 3-SMD Module
Corriente - Fuga inversa a Vr 25µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) 600A (DC)

MSRTA60060 thru 600100(A)

Three Tower Pkg Drawing

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:128
  • 25 pcs$127.128

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