MBR40035CTR
MBR40035CTR
Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
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Descripción | DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 700mV @ 200A |
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 35V |
Paquete del dispositivo | Twin Tower |
Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | Twin Tower |
Otros nombres | 1242-1038 |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 4 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo de diodo | Schottky, Reverse Polarity |
configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Descripción detallada | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 35V 400A (DC) Chassis Mount Twin Tower |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 1mA @ 35V |
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 400A (DC) |
RFQ |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$64.769
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