FR6JR02
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FR6JR02
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard, Reverse Polarity |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 6A |
| Tensión - Desglose | DO-4 |
| Serie | - |
| Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres | FR6JR02GN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 250ns |
| Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | FR6JR02 |
| Descripción ampliada | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 6A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| configuración de diodo | 25µA @ 50V |
| Descripción | DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.4V @ 6A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 600V |
| Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 150°C |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 200 pcs$6.17
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ImagenNúmero de piezaFabricantesDescripciónVer -
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