SQJ844AEP-T1_GE3
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SQJ844AEP-T1_GE3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 16.6 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Potencia - Max | 48W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Otros nombres | SQJ844AEP-T1-GE3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1161pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 3000 pcs$0.588
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