SQ1912AEEH-T1_GE3
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SQ1912AEEH-T1_GE3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Potencia - Max | 1.5W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Otros nombres | SQ1912AEEH-T1_GE3-ND SQ1912AEEH-T1_GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.25nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.183
- 200 pcs$0.071
- 500 pcs$0.069
- 1000 pcs$0.067
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Introducción de SQ1912AEEH-T1_GE3
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