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PR1003G-T

PR1003G-T
Diodes Incorporated

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PR1003G-T

FabricanteDiodes Incorporated
DescripciónDIODE GEN PURP 200V 1A DO41
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSContiene plomo / Cumple con RoHS
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.3V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 200V
Paquete del dispositivo DO-41
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 150ns
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta DO-204AL, DO-41, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction -65°C ~ 150°C
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-41
Corriente - Fuga inversa a Vr 5µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io) 1A
Capacitancia Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Número de pieza base PR1003

PR100xG/L Datasheet

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:226244
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