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AON6314

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AON6314

FabricanteAlpha and Omega Semiconductor, Inc.
DescripciónMOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 8-DFN (5x6)
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 2.8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo) 32.5W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-PowerSMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada N-Channel 30V 85A (Tc) 32.5W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc)

AON6314

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:26992
  • 3000 pcs$0.371

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