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ALD114913SAL

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ALD114913SAL

FabricanteAdvanced Linear Devices, Inc.
DescripciónMOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 1.26V @ 1µA
Paquete del dispositivo 8-SOIC
Serie EPAD®
RDS (Max) @Id, Vgs 500 Ohm @ 2.7V
Potencia - Max 500mW
embalaje Tube
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres 1014-1066
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica de FET Depletion Mode
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 10.6V
Descripción detallada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12mA, 3mA

ALD114(,9)813

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:7943
  • 1 pcs$4.383
  • 50 pcs$3.523
  • 100 pcs$3.21
  • 500 pcs$2.599
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