ALD1101BPAL
ALD1101BPAL
Fabricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
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Descripción | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 10µA |
Paquete del dispositivo | 8-PDIP |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 75 Ohm @ 5V |
Potencia - Max | 500mW |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Característica de FET | Standard |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 10.6V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - |
RFQ |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 50 pcs$5.328
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