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STGF19NC60KD

STGF19NC60KD
STMicroelectronics

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STGF19NC60KD

HerstellerSTMicroelectronics
BeschreibungIGBT 600V 16A 32W TO220FP
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 12A
Testbedingung 480V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/105ns
Schaltenergie 165µJ (on), 255µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP
Serie PowerMESH™
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 31ns
Leistung - max 32W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack
Andere Namen 497-12595-5
STGF19NC60KD-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 38 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ -
Gate-Ladung 55nC
detaillierte Beschreibung IGBT 600V 16A 32W Through Hole TO-220FP
Strom - Collector Pulsed (Icm) 75A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 16A
Basisteilenummer STG*19NC

STGx19NC60KD

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:9109
  • 16 pcs$0.999
  • 200 pcs$0.916
  • 500 pcs$0.833

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Einführung von STGF19NC60KD

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