APTM20DUM08TG
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APTM20DUM08TG
Hersteller | Microsemi |
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Beschreibung | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Supplier Device-Gehäuse | SP4 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 104A, 10V |
Leistung - max | 781W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | SP4 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 208A 781W Chassis Mount SP4 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 208A |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 100 pcs$108.525
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