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APTGT150DH120G

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APTGT150DH120G

HerstellerMicrosemi
BeschreibungIGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Supplier Device-Gehäuse SP6
Serie -
Leistung - max 690W
Verpackung / Gehäuse SP6
Betriebstemperatur -
NTC-Thermistor No
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 10.7nF @ 25V
Eingang Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6
Strom - Collector Cutoff (Max) 350µA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 220A
Konfiguration Asymmetrical Bridge

APTGT150DH120G

Power Products Catalog

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:197
  • 100 pcs$119.562

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