SP8K3FU6TB
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SP8K3FU6TB
Hersteller | LAPIS Semiconductor |
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Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7A, 10V |
Leistung - max | 2W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.8nC @ 5V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A |
Basisteilenummer | *K3 |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$1.344
- 30 pcs$1.304
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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Einführung von SP8K3FU6TB
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