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SP8K3FU6TB

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SP8K3FU6TB

HerstellerLAPIS Semiconductor
BeschreibungMOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max 2W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 5V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A
Basisteilenummer *K3

SP8K3

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:1035
  • 1 pcs$1.344
  • 30 pcs$1.304

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Einführung von SP8K3FU6TB

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