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IXGP12N120A2

IXGP12N120A2
IXYS Corporation

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IXGP12N120A2

HerstellerIXYS Corporation
BeschreibungIGBT 1200V 24A 75W TO220
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A
Testbedingung 960V, 12A, 100 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 15ns/680ns
Schaltenergie 5.4mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
Serie -
Leistung - max 75W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ PT
Gate-Ladung 24nC
detaillierte Beschreibung IGBT PT 1200V 24A 75W Through Hole TO-220AB
Strom - Collector Pulsed (Icm) 48A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 24A
Basisteilenummer IXG*12N120

IXG(A,P)12N120A2

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:4839
  • 50 pcs$3.001

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Einführung von IXGP12N120A2

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