IXGM40N60
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IXGM40N60
| Hersteller | IXYS Corporation |
|---|---|
| Beschreibung | POWER MOSFET TO-3 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Testbedingung | 480V, 40A, 22 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 100ns/600ns |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-204AE |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 200ns |
| Leistung - max | 250W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-204AE |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 250nC |
| detaillierte Beschreibung | IGBT 600V 75A 250W Through Hole TO-204AE |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 75A |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von IXGM40N60
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