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IS42S32800J-7BLI

IS42S32800J-7BLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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IS42S32800J-7BLI

HerstellerISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
BeschreibungIC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
KategorieIntegrierte schaltkreise (ICS)
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -
Spannungsversorgung 3 V ~ 3.6 V
Technologie SDRAM
Supplier Device-Gehäuse 90-TFBGA (8x13)
Serie -
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse 90-TFBGA
Andere Namen 706-1366
IS42S32800J-7BLI-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
Speichertyp Volatile
Speichergröße 256Mb (8M x 32)
Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz 143MHz
Zugriffszeit 5.4ns

IS42S32800J, IS45S32800J

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:295
  • 1 pcs$4.837
  • 10 pcs$4.263
  • 30 pcs$3.912
  • 100 pcs$3.619

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Einführung von IS42S32800J-7BLI

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