GP1M009A050HS
Buy with confidence from
Suntronic.org
GP1M009A050HS is warrantied and traceable.
GP1M009A050HS
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 4.25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 127W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1195pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 8.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.5A (Tc) |
| RFQ | |
Angebot anfordern
Ähnliche Produkte von GP1M009A050HS
-
BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
GP1M008A050FGGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 500V 8A TO220FRFQ -
GP1M009A070FGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 700V 9A TO220FRFQ -
GP1M010A060FHGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 600V 10A TO220FRFQ -
GP1M009A020HGGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 200V 9A TO220RFQ -
GP1M008A050HGGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 500V 8A TO220RFQ -
GP1M009A060HGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 600V 9A TO220RFQ -
GP1M009A090NGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PNRFQ -
GP1M009A020CGGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 200V 9A DPAKRFQ -
GP1M009A090FHGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 900V 9A TO220FRFQ -
GP1M009A020PGGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 200V 9A IPAKRFQ -
GP1M008A050PGGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 500V 8A IPAKRFQ -
GP1M010A060HGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 600V 10A TO220RFQ -
GP1M010A080HGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 800V 9.5A TO220RFQ -
GP1M008A080HGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 800V 8A TO220RFQ -
GP1M009A050FSHGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FRFQ -
GP1M010A080FHGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 800V 9.5A TO220FRFQ -
GP1M008A080FHGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 800V 8A TO220FRFQ -
GP1M009A020FGGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 200V 9A TO220FRFQ -
GP1M009A090HGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 900V 9A TO220RFQ -
GP1M009A060FHGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 600V 9A TO220FRFQ
Einführung von GP1M009A050HS
Wir können GP1M009A050HS liefern, das Anforderungs-Angebotsformular verwenden, um GP1M009A050HS PIRCE und Vorlaufzeit zu fordern.Mit über 3 Millionen Werbemitteln verfügbarer elektronischer Komponenten können in kurzer Vorlaufzeit über 250.000 Teilzahl von elektronischen Komponenten für die sofortige Lieferung übertragen werden, einschließlich der Teilenummer GP1M009A050HS. Die Preis- und Vorlaufzeit für GP1M009A050HS je nach MengeErforderlich, Verfügbarkeit und Lagerhause Standort. Kontaktieren Sie uns heute und unser Vertriebsmitarbeiter bietet Ihnen Preis und Lieferung in Teil Nr. GP1M009A050HS. Wir freuen uns darauf, mit Ihnen zusammenzuarbeiten, um langfristige Zusammenarbeit aufzubauen
Schlüsselwörter von GP1M009A050HS
- Global Power Technologies Group GP1M009A050HS
- GP1M009A050HS -Datenblatt
- GP1M009A050HS -Datenblatt
- GP1M009A050HS PDF -Datenblatt
- Laden Sie das GP1M009A050HS -Datenblatt herunter
- GP1M009A050HS -Bild
- GP1M009A050HS -Teil
- Global Power GP1M009A050HS
- Global Power Technologies Group GP1M009A050HS