GP1M008A025HG
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GP1M008A025HG
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 8A TO220 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 52W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 423pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 250V 8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von GP1M008A025HG
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