FGA90N33ATDTU
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FGA90N33ATDTU
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | IGBT 330V 90A 223W TO3P |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 330V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 20A |
| Testbedingung | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 23ns |
| Leistung - max | 223W |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench |
| Gate-Ladung | 95nC |
| detaillierte Beschreibung | IGBT Trench 330V 90A 223W Through Hole TO-3P |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 330A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 90A |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 10 pcs$2.034
- 100 pcs$1.942
- 500 pcs$1.849
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von FGA90N33ATDTU
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