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FDMC8200

FDMC8200
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FDMC8200

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungMOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-Power33 (3x3)
Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6A, 10V
Leistung - max 700mW, 900mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN
Andere Namen FDMC8200TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 12A 700mW, 900mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A, 12A

FDMC8200

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:41348
  • 1 pcs$0.838
  • 10 pcs$0.684
  • 30 pcs$0.607
  • 100 pcs$0.531
  • 500 pcs$0.485
  • 1000 pcs$0.461

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Einführung von FDMC8200

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